机译:45纳米技术节点LP N-MOSFET中统计变异源的定量评估
机译:具有TiN / Hf0_2栅叠层的32纳米技术节点的全耗尽超应变SOI n-MOSFET的低温电气特性
机译:具有TiN / Hf0_2栅叠层的32纳米技术节点的全耗尽超应变SOI n-MOSFET的低温电气特性
机译:评估45、32和22nm技术节点LP N-MOSFET上的固有参数波动
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:过硫酸盐/ UV-C工艺可对商用非离子表面活性剂辛基酚聚乙氧基化物Triton™X-45进行高级氧化:操作参数和动力学评估的影响
机译:答:在45 nm工艺节点LP N-MOSFET中对统计变异性源进行定量评估
机译:在士兵/患者去污和药物开发中进行医学化学防御计划的多种动物研究。任务87-32:阿托品的药代动力学特征评估及其对恒河猴各种生理参数的影响